skrót inżynierka

23. Budowa i właściwości liniowych filtrów cyfrowych

Posiada pamięć wewnętrzną w której jest zapisywany stan dzięki któremu odpowiedź na każdą kolejną próbkę zależy od innych próbek. Całkowicie określa dyskretna odp. imp. sygnał wyjściowy jest splotem dyskretnym z sygnału wejściowego z odp. imp

24. Twierdzenie o próbkowaniu

Twierdzenie o próbkowaniu (Twierdzenie Nyquista-Shannona o próbkowaniu): Sygnał można dokładnie odtworzyć z jego próbek, jeśli częstotliwość próbkowania jest co najmniej dwa razy większa od najwyższej częstotliwości w sygnale

35.1. Podział ciał stałych ze względu na konduktywność Przewodniki

Konduktywność (przewodność właściwa) – zdolność materiału do przewodzenia prądu elektrycznego. Przewodniki, dobrze przewodzą prąd (nośniki: elektrony swobodne lub jony), np. miedź, srebro, żelazo, elektrolity

35.2. Podział ciał stałych ze względu na konduktywność Półprzewodniki

Konduktywność (przewodność właściwa) – zdolność materiału do przewodzenia prądu elektrycznego. Półprzewodniki, przewodność pośrednia, można ją zmieniać (domieszkowanie, temperatura, światło), np. krzem, german, stosowane w diodach i tranzystorach

35.3. Podział ciał stałych ze względu na konduktywność Izolatory

Konduktywność (przewodność właściwa) – zdolność materiału do przewodzenia prądu elektrycznego. Izolatory (dielektryki) – bardzo słabo przewodzą prąd z powodu braku swobodnych nośników ładunku

39.1. a Zasady projektowania obwodów drukowanych ROZMIESZCZENIE ELEMENTÓW

Rozmieścić elementy tak, aby zajmowały jak najmniejszą powierzchnię po obu stronach płytki (jeśli dwustronna), podzespoły równolegle do krawędzi płytki, zapewnić możliwość odczytu danych elementów, dbać by wyprowadzenia nie były zbyt wygięte

39.1. b Zasady projektowania obwodów drukowanych ROZMIESZCZENIE ELEMENTÓW

Ciężkie elementy (>8 g na wyprowadzenie) mocować zaciskami, układy DIP ustawiać prostopadle do kierunku lutowania na fali

39.2. Zasady projektowania obwodów drukowanych ŚCIEŻKI I OTWORY

Otwory montażowe w węzłach siatki: podstawowej 2,5 mm, wtórnej 1,25 mm lub 0,625 mm, przez 1 otwór – 1 wyprowadzenie, ścieżki o odpowiedniej grubości, bez ostrych ani prostych kątów

41. Utylizacja zużytego sprzętu elektronicznego

Obróbka mech oraz separacja fiz Demontaż urz na mn frag i podzielenie części na kat: metale, tworzywa sztuczne, szkło, mat nieb Oddzielenie el które mogą być wykorz do ponownego wykorzystania od tych, nadające się do ponownego przetworzenia w recyklingu

52. Postać wybranego modelu elementu półprzewodnikowego wbudowanego w SPICE

Dioda modelowana jest jako źródło prądowe nieliniowe równolegle z pojemnością złącza oraz z rezystancją szeregową, opisuje char. prądowo-napięciową diody i uwzg.: składową dyfuzyjną i generacyjno-rekombinacyjną, prąd przebicia (nisko i wysokoprądowy)

53. Postacie kanoniczne funkcji logicznych

Postać kanoniczna funkcji logicznej to uporządkowany sposób zapisu, w którym funkcję przedstawia się jako sumę iloczynów, gdzie każdy iloczyn odpowiada jednej jedynce na wyjściu albo jako iloczyn sum, gdzie każda suma odpowiada jednemu zeru na wyjściu

54. Minimalizacja funkcji logicznych – cel i metody

Upraszczanie wyrażeń tak, aby zawierały jak najmniej zmiennych i operacji logicznych, co zmniejsza liczbę potrzebnych bramek, upraszcza układ i obniża koszt realizacji, podstawowe metody: przekształcenia z użyciem algebry Boole’a oraz mapy Karnaugha

70. Procesy technologiczne w wytwarzaniu układów scalonych

Otrzymywanie monokryształów, utlenianie powierzchni krzemu, chemiczne osadzanie fazy lotnej (homeopitaksja, heteropitaksja, MOCVD), dyfuzja, implantacja, litografia, wytrawianie, metalizacja i mikromontaż

71.1. Zastosowania dwutlenku krzemu w technologii układów scalonych (Dwutlenek krzemu SiO2)

Podczas wytwarzania maski, warstwa epitaksjalna jest utleniana i na jej powierzchni wytwarza się cienka warstwa dwutlenku krzemu, jej grubość ma kilkadziesiąć mikrometrów i charakteryzuje się dużą jednorodnością i gładkością

71.2. Zastosowania dwutlenku krzemu w technologii układów scalonych (Dwutlenek krzemu SiO2)

W miejscach osłoniętych podczas fotolitografi dwutlenek krzemu jest wytrawiany, odsłaniając fragmenty warstwy epitaksjalnej. Pod koniec całość układu scalonego znowu jest maskowana dwutlenkiem krzemu, na którym wykonywane sa niezbędne połączeniowe otwory

50.1 Model małosygnałowy elementu półprz. opis (Uproszczony schemat zastępczy dla małych zmian sygnału, źródła stałe zwierasz, a elementy nieliniowe zastępujesz liniowymi)

Uproszczona reprezentacja układu ograniczająca analizę zachodzących w nich zjawisk wyłącznie do tych, które są związane ze składową zmienną. Założeniem modelu jest ograniczenie amplitudy sygnału zmiennego do niewielkich wartości w pobliżu punktu pracy

50.2 Model małosygnałowy elementu półprz. parametry (Uproszczony schemat zastępczy dla małych zmian sygnału, źródła stałe zwierasz, a elementy nieliniowe zastępujesz liniowymi)

Nieliniowe elementy zastępowane są liniowymi:Źr napięcia stałego-zwarcie, Źr prądu stałego-rozwarcie, Rez bz, Małe pojemności i małych częst-rozwarcie, duże pojemności i duże częst- zwarcie

63. Rola i znaczenie wzmacniaczy o małych szumach w systemach b.w.cz.

Do wzmacniania słabych sygnałów mikrofalowych. Jeżeli do odbiornika o równoważnej temperaturze szumów Tr dociera syg użyteczny z anteny o temp szumów Ta to w celu uzyskania najlepszego stosunku mocy syg do mocy szumów trzeba spełnić zależność Tr«Ta

57.1. Jakie funkcje mogą pełnić w mikrokontrolerze układy licznikowo-czasowe?

Mierzenie odstępów czasu między zdarzeniami zachodzącymi poza mk, które są sygnalizowane impulsami elektrycznymi podawane na piny mk

57.2. Jakie funkcje mogą pełnić w mikrokontrolerze układy licznikowo-czasowe?

Generowania impulsów lub sekwencji impulsów w odstępach czasu o zaprogramowanej wartości (output compare) i o zaprogramowanej długości trwania

57.3. Jakie funkcje mogą pełnić w mikrokontrolerze układy licznikowo-czasowe?

Generowania sygnałów okresowych o określonej częstotliwości i zadanym współczynniku wypełnienia

57.4. Jakie funkcje mogą pełnić w mikrokontrolerze układy licznikowo-czasowe?

Sterowania szybkością transmisji w portach szeregowych, zarówno w trybie synchronicznym, jak i asynchronicznym (baut rate generator)

57.5. Jakie funkcje mogą pełnić w mikrokontrolerze układy licznikowo-czasowe?

Realizacji zadań licznika nadzorcy, watchdoga

56.1. Rola i cechy systemu PRZERWAŃ ROLA

Warunek lub zdarzenie, które przerywa normalny ciąg instrukcji w programie, wywołuje między instrukcjami skok do procedury obsługi przerwania, gdy procedura obsługi przerwania kończy się, wznawiany jest normalny ciąg instrukcji w programie

56.1. Rola i cechy systemu PRZERWAŃ CECHY. PRZERWANIE

ZEWNĘTRZNE wywoływane przez urz/układ poza mk. WEWNĘTRZNE wywoływane przez jeden z podukładów mk. SPRZĘTOWE zachodzi w wyniku zmiany stanu jednego z układów fiz. PROGRAMOWE zachodzi w wyniku wykonania instrukcji programu

69. Budowa i zasada pracy wybranego sterownika obcowzbudnej przetwornicy DC-DC

Push-Pull, w pierwszym półokresie wszystkie tranzystory przewodzą, prąd rośnie w L, gromadzi energię. W drugim półokresie część tranzystorów się wyłącza, L oddaje energię przez transf i diodę na wyjście. Potem cykl się powtarza z drugą parą tranzystorów

36.1.1. Wyznaczanie błędu pomiaru – odnosi się do konkretnego wyniku pomiaru

Bezwzględny, wartość zmierzona–rzeczywista. Względny rzeczywisty, błąd bezwzględny/wartość rzeczywista. Względny nominalny, błąd bezwzględny/wartość zmierzona. Zakresowy, błąd bezwzględny/maksymalny zakres przyrządu

36.1.2 Wyznaczanie błędu pomiaru - przyczyny

Przyczyna: Systematyczne, występują w każdym pomiarze (stałe przesunięcie). Przypadkowe: losowe wahania wyniku. Grube, wynik pomyłki człowieka

36.2. Wyznaczanie niepewności pomiaru - określa rozrzut wyników w jednej serii pomiarów, w powtarzalnych warunkach

Standardowa, odchylenie standardowe. Złożona, dla pomiarów pośrednich. Rozszerzona, przedział, w którym z danym poziomem ufności mieści się wartość prawdziwa

74.1. Wpływ materiału półprzewodnikowego na parametry przyrządu mocy, Szerokość przerwy energetycznej

Szerokość przerwy energetycznej: wartość ta zależy od temperatury i koncentracji domieszek. Zależna od samego materiału, dla Si wynosi 1,21 [eV]. Wzrost koncentracji domieszek w półprzewodniku skutukuje zmniejszeniem szerokości przerwy energetycznej

74.2. Wpływ materiału półprzewodnikowego na parametry przyrządu mocy, Koncentracja nośników samoistnych

Koncentracja nośników samoistnych: w zakresie dużej koncentracji domieszki, koncentracja samoistna wzrasta nawet o kilka rzędu wskutek efektu zwężenia szerokości przerwy energetycznej

74.3. Wpływ materiału półprzewodnikowego na parametry przyrządu mocy, Ruchliwość nośników

Ruchliwość nośników: El półprz których działanie opiera się na wykorzystaniu przepływu elektronów odznaczają się większą szybkością działania niż el w których wykorz jest przepływ dziur. Bo ruchliwość jest mniejsza dla dziur niż dla elektronów

74.4. Wpływ materiału półprzewodnikowego na parametry przyrządu mocy, Konduktywność przewodnika

Konduktywność przewodnika- zależy od koncentracji oraz ruchliwości nośników

55. Metodyka projektowania synchronicznych układów sekwencyjnych (Stan automatu to aktualny zestaw wartości przerzutników określający działanie układu i jego reakcję na wejścia)

Tworzymy graf stanów automatu gdzie węzły to stany i wyj strzałki opisują przejścia dla wszystkich komb we Kodujemy stany najmniejszą liczbą zmiennych, rozbijamy tab przejść na przerzutniki określając funkcje wzbudzenia a wy odwzorowujemy w mapach Karnota

73. Struktura i charakterystyka tranzystora VDMOs (pionowy bo prąd płynie w głąb struktury krzemu, a nie po powierzchni

Tranzystor pionowy struktura n+ p n- n+ tworzy się przez podwójne rozproszenie, uzyskując krótki kanał. Warstwa n- (epitaksjalna) odp za wysokie nap przebicia UDS. parametry: napięcie progowe Uth i rezystancja włączenia RON, silnie zależne od temperatury

59. Warunki wzbudzenia drgań w generatorach

Drgania powstają, gdy spełniony jest warunek fazy (całkowite przesunięcie w pętli = 0° lub 360°) oraz warunek amplitudy K·β = 1, a w praktyce nieco >1. Wzmacniacz kompensuje tłumienie i sam podtrzymuje drgania

49. Charakterystyki statyczne/dynamiczne elementów półprzewodnikowych

Stat opisują zal prąd-napięcie przy stałych sygnałach. Dioda Zenera UZ, UF, IR, rZ, stabilizacja napięcia w kier zaporowym. Tranzystor cztery rodziny char IC-UC, IC-IB, IB-UBE, IC-IB (zwrotna) Dyn zależność prądów/napięć przy zmianach sygnału, np. częst

61. Wzmacniacz operacyjny – właściwości i wykorzystanie

Wzmacniacz różnicowy o dużym wzmocnieniu, wysokiej impedancji wejściowej, niskiej wyjściowej. W praktyce: sumator, całkujący, różniczkujący, wtórnik, odwracający. Idealny: nieskończone wzmocnienie, szerokie pasmo, brak poboru prądu wejściowego