Moja lekcja

Tranzystor unipolarny (polowy)

FET - tranzystor z efektem polowym

co oznacza ze tranzystor jest unipolarny

Przeplyw prądu przez nośniki większosciowe jednego rodzaju w jednorodnym obszarze półprzewodnika

Co oznacza ze tranzystor jest polowy

przepływ pradu sterowany przez pole elektryczne

Tranzystor polowy złączowy

JFET/FET

Tranzystory z izolowaną bramką

MOS FET / MOS

Tranzystor JFE- z czego sie składa

Jendorodna płytka zawierająca elektrody dren i źródlo, trzecia to bramka

Jak spolaryzowane jest zlacze p-n miedzy bramką a płytką

zaporowo

gdzie wystepuje wasrtwa zaporowa

w obszarze slabiej domieszkowanym (plytka miedzy zrodlem a drenem)

Co to jest kanał?

w JFET obszar pomiedzy warstwami zaporowymi, przez ktory moze płynąc prąd drenu Id

Wzrost napięcia zaporowego

Rozszerza warstwy zaporowe zwężając kanał

Od czego zalezy wartośc pradu drenu Id?

Od szerokości KANAŁU

Od czego zależy napiecie polaryzujace bramke zaporowo

Zalezy od Napięcia Ugs oraz Uds które rozkładają się wzdłuż płytki między Drenem a Źródłem

Napięcie wynosi... (ze wspolczynnikiem)

W poblizu drenu Ugs+ k1*Uds, w poblizu zrodla UGS+ k2* Uds k1>k2

Gdzie jest węzszy kanał?

Przy drenie

Czy kanał moze sie zamkanac?

tak, przy odpowiednio duzej wartosci napięcia Ugs, kanał sie zamyka a prad nie płynie.

Od którego napięcia głównie zalezy prąd drenu? Id?

Od napięcia Uds, przy jego zwroscie prąd nie moze sie zmniejszyc. Id przy pewnym Uds osiąga granicę

Podstawowa cecha tranzystora polowego

bardzo mały prąd bramki (nano ampery) oraz gigantyczna rezystancja wejściowa (kilkadziesiąt, kilkaset MEGA ohm)

Najbardziej rozpowrzechniony tranzystor JFET

z kanałem typu N, bramka typu P

JFET z kanałem typu P

ma bramke typu n, wymaga napięc poalryzujących o przeciwnej biegunowości

Zastosowanie JFETów

wzmacnianie słabych sygnałów(zwlaszcza przy duzej rezystancji wzmacniacza), bezstykowe elementy przełaczajace, zmienna rezystancja, wzmacniacz duzych czestotliwosci

Tranzystory MOS mają w podłożu półprzewodnika P, dwa obszary. n+. Czym są?

są to źródło oraz dren. Nad tą przestrzenią na cienkiej warstwie iso. SiO2 napylony jest metal-GATE

Co to jest warstwa inwersyjna?

Inaczej kanał w transystorze MOS 10-20 mikro metra

Czy kanał przewodzacy może istnieć przy Ugs=0?

Tak, niektóre tranzystory mają je wbudowane lub wytwarza sie je za pomoca ładunków w SiO2

Transytory MOS normalnie włączone

maja kanał wbudowany lub zubożały

tranzystory normalnie wyłaczone

z kanałem indukowanym lub kanałem wzbogaconym

Gdzie używane są tranzystory MOS

pamięci, procesory (uklady scalone), element wzmacniający, przełączniki analog. wzmacniacze akustyczne