Mechatronika

dioda zenera

element pp pasywny wykorzystujacy wlasnosci zlacza PN polaryzowanym w kierunku zaporowym w kierunku przewodzenia zachowuje sie jak dioda pp

charakterystyka pradowo napieciowa diody zenera

no

parametry znamionowe diody zenera

Uz napiecie znamionowe stabilizacji Iz prad stabilizacji Uf napiecie przewodzenia Rz rezystancja dynamiczna Rz deltaUz/deltaIz

rezystancja dynamiczna

zalezy od wartosci stabilizacji i pradu stabilizacji

zastosowanie diody zenera

stabilizacja lub ograniczenie napiecia

dioda schotkiego

dioda pp w ktorej w miejsce zlacza pn zastosowano zlacze metal-pp

symbol diody schotkiego

symbol

charakterystyka oraz zalety i wady

Zalety: bardzo szybkie, krotkie czasy przelaczania, maly spadek napiecia, duza stabilnosc WADY: znaczne prady wsteczne, nidkie napiecie przebicie

zastosowanie diody schotkyego

w ukladach cyfrowych i energoelektrycznych, zasilacze impulsywne, falowaniki

diody pojemnosciowe

element pp pasywny wykorzystujacy zmiane pojemnosci zlacza PN polaryzowanym w kierunku zaporowym

symbol diody pojemnosciowej

symbol

rodzaje diod pojemnosciocyhc

Warikapy-uzywane glownie w ukladach automatycznych Waraktory-uzywane glownie w zakresie wysokich czestotliwosci

charakterystyka diody pojemnosciowej

charakteryzuja sie zmiana pojemnosci w funkcji przylozonego napiecia

dioda tunelowa

dioda pp o malej szerokosci zlacza oraz o bardzo duzej liczbie domieszek w obszarach N i P ktora dla pewnego zakresu napiec polaryzujacych charakteryzuja sie ujemna rezystancja dynamiczna

symbol diody tunelowej

symbol

charakterystyka pradowo napieciowa diody tunelowej

charakterystyka

zastosowanie diody tunelowej

przewodniki wzmacniacze jako szybkie przelaczniki impulsowe

klasyfikacja tranzystorow

klasyfikacja

klasyfikacja tranzystorow POLOWYCH

polowe

rodzaje tranzystorow

Bipolarne-w ktorych prad wyjsciowych jest funkcja prady wejsciowego Unipolarne polowe-prad wyjsciowy jest funkcja napiecia (sterowany napieciowo) wystepuje pomiedzy bramka i zrodlem czyli napieciem Ugs wytwarzajacym to pole ale Ig=0

tranzystor bipolarny

trojkoncowlawy pp aktywny element elektryczny posiadajacy zdolnosc wzmocnienia sygnalu elektrycznego. Umizliwia sterowanie przeplywu duzego pradu za pomoca prodau o duzo mniejszej wartosci

budowa tranzystora bipolarnego

emiter baza kolektor

symbole tranzystora bipolarnego

symbole

polaryzacja zlacza tranzysotora bipolarnego

.

zjawiska fizyczne zachodzace podczas pracy

elektrozy z emitera(E) przechodza do Bazy (B) a poniewaz Baza(B) jest hardzo cienka to natychmiast dostaja sie w pile przyciagania kolektora(C)

zjawiska 2

kolektor przyciaga wzzystkie swobodne ladunki ujemne znajdujace sie w obszarze bazy a odpycha ladunki dodatnie. Prad bazy Ib powstaje poprzez wprowadzenie z kontaktu bazy nowych dziur na miejsce tych ktore zrekombinowaly z elektronem.

polaryzacja zlacza PNP

PNP

stany oracy tranzystorow

tranzystor

parametry graniczne tranzystora

p

uklady polaczen

h

tranzystor unipolrany

h

definicja unipolarny

element pp o wlasciwosciah wzmacniajacych w ktorym sterowanie przeplywem prady odbywa sie za pomoca pola elektrycznego

budowa unipolarne

h

tranzystor JFET struktura

b

zasada dzialania JFET

m

polaryzacja JFET charakterystyka

m

tranzystory unipolarne z izolowana bramka

tranzystor MOSFET to tranzystor polowy w ktorym bramka jest oddzielina od kanalu cienka warstwa izoacyjna najczesciej zubozona z dwutlenku SiO2 dzieki odizolowania bramki w rezultacie od jej polaryzacji teoretycznie nie olynie zaden prad

wazne

MOSFET Z PODLOZEM SI MISFET Z PODLOZEM GaAs

klasyfikacja mosfet

z kanalem zubozonym z kanalem wzbogaconym

tranzystor mosfet

obraz

symbole mosfet

s

charakterystyka mosfet

j

tranzystor VMOSFET LUB TMOSFET

Moc do pracy w obwodach duzej mocy do przelaczania pradow rzedu dziesiatek A i przy stosunkowo wysokich napieciach rzedu kilkuset V

VMOSFET

V

TMOSFET

t

tranzystory IGBT

Grupa energoelektrycznych pradow mocy ktorych budowa jest polaczeniem konkretnych wlasciwosci tranzystora polowego sterowanie napieciowe oraz tranzystora bipolarnego duzy prad kolektora i maly spadek napiecia UCE

IGBT

g

oznaczenia tranzystorow

g

tranzystor bipolarny a unilolarny

gruoa elementow pp o regulowanym przeplywie nosnikow ladunku elektrycznego

bipolarne a unipolarne

g

tranzystor mocy IGBT

wady zalety

tyrystor

dwystronny trojkoncowkowy element pp ktory moze byc przelaczany ze stanu blokowania di stanu orzewodzenia i odwrotnie

budowa tyrystora plus symbole

d

zasada dzialania

b

charakterystyka prodowo napieciowa

g

triak

trytursot dwukierunkowy

budowa triaka plus symbol

g

polaryzacja triaka

d

zastosowanie traiaka

uklady bezstykowe

dynistor

dwustronny dwukoncowkowy element pp przelaczany ze stanu blokowania do stanu przewodzenia i odwrotnie po przekroczeniu prwnego napiecia

budowa i symbol dynistora

g

polaryzacja dynistora

h

diak

symetryczny dynistor dwukierunkowy diodowy

struktura i symbol diaka

d

charakterystyka diaka

b

polaryzacja diaka plus zastosowanie

s

tyrystor GTO

d

tyrystor gto

moze byc zarowno wlaczany jak i wylaczany pradem bramki prad bramki wlacza go a wylacza prad bramki o kierunku przewodzenia

charakterystyka trytystora GTO

prad orzywodzenia do 3KA przy napieciu wstecznym do 5kV czestotliwosc granice do 10kHz

zastosowanie trytystora GTO

przekladniki czestotliwosci laczniki pradu stalego